3.6.4 FB-DIMM体系架构的特性

3.6.4  FB-DIMM体系架构的特性

如果对总线技术比较了解的话，相信大家对当前讨论得最热烈的I/O总线技术——PCI-Express有所认识。

PCI-Express总线技术是串行连接技术，对传统的PCI并行架构进行了改进，而FB-DIMM内存架构也采用串行连接技术，所以说新型FB-DIMM内存架构与PCI-Express有很多的相似之处，主要表现在以下几个方面。

 两者均使用差分信号技术，通过一对线路来表达一个信号，即信号是“0”或“1”，由这两条线路的电压差来决定。即便有严重的干扰使这对线路传输信号的电压差发生较大范围的波动，它们的电压差仍可保持相对稳定，抗干扰能力大大强于单线传输信号的传统并行技术。
 两者都采用了点对点的传输结构。在内存控制器与FB-DIMM缓冲芯片内都有专门的发送和接收控制单元，数据读出和写入操作可以在一个周期内同时进行，相互不干扰，这相当于将内存系统的延迟时间缩短了一半，对性能提升有着不可低估的作用。
 在FB-DIMM内存架构上增加了一块“Advanced Memory Buffer”（AMB，高级内存缓存）缓冲芯片（参见图3-38中每个内存条中间的Buffer芯片）。实际上，AMB并非只是一块简单的缓冲芯片，主要承担以下3方面的职能。
 与北桥芯片中的内存控制器连接，将数据在内存缓冲与控制器之间传送。
 把DIMM上的并行内存资料转换为串行。
 具备相互通信的职能，因为它要始终承担数据传输和读写的中介工作，不同的FB-DIMM内存模组必须通过这枚芯片才能够交换信息。

AMB芯片是FB-DIMM架构的关键，通过AMB，FB-DIMM上的内存芯片完全可使用现有产品，也不必更改它的并行资料接口。理论上，只要AMB芯片能提供支持，FB-DIMM不论使用何种内存芯片，都与电脑系统的运作无关。

从上面的介绍中，可知每个DRAM芯片不再直接与内存控制器进行数据交换。事实上，除了时钟信号与系统管理总线（SMBus）的访问，其他的命令与数据的I/O都要经过位于DIMM上的AMB（参见图3-38的下图中间的方形芯片）的中转，从而消除了传统DIMM模组的“短线连接”的拓扑结构带来的弊端。

作为新型的内存架构，FB-DIMM并不需要对现有的DRAM芯片做出改动，内存制造商可以直接使用成本低廉的DDR2芯片。尽管采用新型缓冲芯片会增加一些成本，但是这比起制造全新的RAM芯片来说代价要小得多。